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长江存储 64 层 3D NAND 打入华为 Mate 40 供答链
作者:admin    发布时间: 2020-11-21 16:36

   11 月 20 日新闻2020 年北京微电子国际钻研会暨 IC WORLD 学术会议本周在京举走,长江存储始席实走官杨士宁出席发外说话。

  杨士宁外示:固然长存的 64 层 3DNAND 只是吾们第一个产品,但是这颗产品已经做到了 Mate40 的旗舰机内里,在这内里吾们望到了国内半导体产业链彼此协同配相符和异日永远的发展机会。

  此外,杨士宁还展现了 Xtacking 技术,外示:在这一方面,长江存储也是走在国际最前沿的;长存的技术也是专门先辈的,以后能够委托给中芯国际;同时也要感谢国产同走的声援。他还外示,现在只有带有 Xtacking 标签的终端产品才拥有真实国产闪存芯片(长存芯片)。

  此外,长江存储也公布了本身的路线图,炒汇“长江存储 3 年走了其他人 6 年走过的路”长存的 128 层存储(TLC/QLC)正在推进。杨士宁外示 “吾说吾们不做末了别名,吾们一定不做末了别名,但吾跟吾们比的都是有三四十年历史的。固然吾还异国宣布,但下一代,争夺在下一代走到最前沿,争夺作第一第二名。”

  晓畅到,长江存储和长鑫存储是吾国半导体走业内的领头者。其中紫光集团旗下的长江存储主要营业为动态随机存取内存与 NAND Flash 制造,而长鑫主要从事从事动态随机存取存储芯片(DRAM)方面的做事。

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